【開催にあたって】
2026年現在、AI・クラウド・IoTの急速な普及により、データセンターサーバ用電源の電力消費と処理密度はかつてないほどの高水準に達していると言われている。
この消費電力削減のためには電源アーキテクチャの革新をもたらす省電力技術が必要不可欠であり、それを実現するための切り札の一つとして、新材料GaN（窒化ガリウム）パワー半導体の普及が期待されている。
さらに、現在踊り場にあると言われている自動車の電動化(xEV)に関しても、その中核部品であるSiCパワー半導体の技術動向が、業界再編の動きを含めて、最近再び注目されてきた。
カギを握るのは、性能・信頼性・コストという三要素に対し、SiC・GaNパワー半導体デバイスがどのように市場要求へ応えていくかにかかっている。
本セミナーでは、SiC/GaN技術の現状と今後の動向を整理し、今後の市場予測を含め、最強のライバルであるシリコンMOSFETやIGBTの動向と対比させながら、わかりやすくかつ丁寧に解説する。
| 日時 | 2026年 5月 18日（月） 10:30～16:30 |
|---|---|
| 受講料 | 1名につき 会員 44,000円（本体 40,000円） 一般 48,400円（本体 44,000円） |
| 講演者 | 国立大学法人 筑波大学 数理物質系 教授 岩室憲幸 氏 |
| 対象 | パワー半導体デバイスならびに実装の最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術などをお知りになりたい方は奮ってご参加ください。 |
| 内容 | １．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事 1-2 パワー半導体の種類と基本構造 1-3 パワーデバイスの適用分野 1-4 AIデータセンターサーバ用電源、xEV向けパワーデバイス最近のトピックス 1-5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長 1-6 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？ 1-7 パワーデバイス開発のポイント ２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題 2-1 パワーデバイス市場の現在と将来 2-2 MOSFET特性改善を支える技術 2-3 IGBT特性改善を支える技術 2-4 IGBT薄ウェハ化の限界 2-5 MOSFET・IGBT特性改善の次の一手 2-6 シリコンIGBTの実装技術 ３．SiCパワーデバイスの現状と課題 3-1 半導体デバイス材料の変遷 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？ 3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか 3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？ 3-5 SiC-MOSFETの勝ち筋 3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題 3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発 3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか 3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？ 3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術 ４．GaNパワーデバイスの現状と課題 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？ 4-2 GaNデバイスの構造 4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場 4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？ 4-5 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化 4-6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて） 4-7 縦型GaNデバイスの最新動向 ５．SiCパワーデバイス実装技術の進展 5-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの 5-2 銀または銅焼結接合技術 5-3 SiC-MOSFETモジュール技術 ６．まとめ ※申込状況により、開催中止となる場合がございます。 ※講師・主催者とご同業の方のご参加はお断りする場合がございます。 ※録音、録画・撮影・お申込者以外のご視聴はご遠慮ください。 【本セミナーはZoomを利用して開催いたします】 視聴用アカウント・セミナー資料は、原則として開催1営業日前までにメールでお送りいたします。 ※最新事例を用いて作成する等の理由により、資料送付が直前になる場合がございます。 動作確認ページ ネットワーク環境により（社内のセキュリティ制限等）ご視聴いただけない場合がございます。事前に上記「動作確認ページ」のリンクより動作確認をお願いいたします。 |
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| 受付状況 | 申込受付中 |
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